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杭州立昂微電子股份有限公司

發(fā)佈日期：2017-11-09????流覽次數(shù)：190

項目名稱：杭州立昂微電子股份有限公司FAB-C1機電工程

杭州立昂東芯微電子有限公司FAB-D工程/杭州立昂東芯微電子有限公司含砷廢水工程

工作地點：杭州下沙經(jīng)濟開發(fā)區(qū)20號大街199號

建設(shè)單位：杭州立昂微電子股份有限公司

建築面積：15840㎡

簡介：杭州立昂微電子股份有限公司位於杭州工業(yè)區(qū)內(nèi)，之前主要生產(chǎn)功率器件。16年新增6英寸砷化鎵微波射頻電路晶片生產(chǎn)線。

項目介紹：15年負責(zé)MOS生產(chǎn)線的無塵室，面積約為3000㎡

16年負責(zé)砷化鎵微波射頻電路晶片生產(chǎn)線的無塵室，面積約為3000㎡