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江陰長電半導(dǎo)體二次配項目

發(fā)布日期:2020-07-17????瀏覽次數(shù):177
項目名稱:J2A Bumping-Dry&J1A CP+DPS 二次配工程
工作地點:江蘇省江陰市東盛西路6號
建設(shè)單位:中心長電半導(dǎo)體(江陰)有限公司
建筑面積:4.9萬平方米
建筑層數(shù):3層
結(jié)構(gòu)類型:鋼混 框架剪力墻勁性結(jié)構(gòu)
項目特征:12吋中段硅片制造和3D芯片加工
工程概要:1、J2A Bumping-Dry&J1A CP+DPS 二次配工程 2、TD移機二次配-包1及拆機
 

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