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杭州立昂微電子股份有限公司

發(fā)布日期：2017-12-21????瀏覽次數(shù)：110

項(xiàng)目名稱：杭州立昂微電子股份有限公司FAB-C1機(jī)電工程

杭州立昂東芯微電子有限公司FAB-D工程/杭州立昂東芯微電子有限公司含砷廢水工程

工作地點(diǎn)：杭州下沙經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào)

建設(shè)單位：杭州立昂微電子股份有限公司

建筑面積：15840 ㎡

簡(jiǎn)介：杭州立昂微電子股份有限公司位于杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)，之前主要生產(chǎn)功率器件。16年新增6英寸砷化鎵微波射頻電路芯片生產(chǎn)線。

項(xiàng)目介紹：15年負(fù)責(zé)MOS生產(chǎn)線的無(wú)塵室，面積約為3000 ㎡

16年負(fù)責(zé)砷化鎵微波射頻電路芯片生產(chǎn)線的無(wú)塵室,面積約為3000 ㎡