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江陰長(zhǎng)電半導(dǎo)體二次配項(xiàng)目

發(fā)布日期：2020-07-17????瀏覽次數(shù)：70

項(xiàng)目名稱：J2A Bumping-Dry&J1A CP+DPS 二次配工程

工作地點(diǎn)：江蘇省江陰市東盛西路6號(hào)

建設(shè)單位：中心長(zhǎng)電半導(dǎo)體（江陰）有限公司

建筑面積：4.9萬(wàn)平方米

建筑層數(shù)：3層

結(jié)構(gòu)類型：鋼混框架剪力墻勁性結(jié)構(gòu)

項(xiàng)目特征：12吋中段硅片制造和3D芯片加工

工程概要：1、J2A Bumping-Dry&J1A CP+DPS 二次配工程 2、TD移機(jī)二次配-包1及拆機(jī)